Design rule知识答题 - 在线考试测评模板

Q1:粗铜线二焊点最小面积：打一根38um线，A(长)*B(宽)为（）

A.120*200um

B.115*220um

C.100*220um

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Q2:粗铜线二焊点最小面积：打4根50um线（前后并排），A(长)*B(宽)为（）

A.250*450um

B.240*450m

C.300*500um

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Q3:框架类产品DIE SIZE计算规则，PKG SIZE＞3*3时，芯片面积与基岛面积比＜（）

A、57%

B、59%

C、58%

Q4:QFN4*4框架，芯片尺寸1500*1500um，点胶工艺，普通镀银铜框架，请问HVM有地线时要求距离是（）um；无地线时要求距离是（）um

A、250,150

B、280,150

C、250,100

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Q5:0.5mm＜芯片长边长度≤2mm，芯片边缘四边溢胶且单边覆晶率≥（），否则为不良。

A、50%

B、45%

C、48%

Q6:芯片厚度＜（）的产品（HT除外），不推荐使用（）和（）的棕色氧化框架。

A、150 ASM QPL

B、120 HDS ASM

C、 130 华洋 QPL

Q7:对于环镀银或选择性镀银框架，禁止芯片粘在镀银区域的设计，特别是使用（）工艺。

A、绝缘胶和DAF膜

B、DAF和WBC

C、导电胶和WBC

Q8:8. 对于SSB打线，PAD间距c要求（）um以上。

A、73

B、70

C、71

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Q9:对于Stack Bump打线，PAD间距c最大（）um

A、70

B、69

C、65

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Q10:上层die焊线与下层die焊线（）1倍线径。

A、大于

B、大于等于

C、等于

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Q11:双排pad时，二焊点的PAD中心距A需要（）200um，打线规则一般是（）、（）

A、等于、内排打内排、内排打外排

B、大于等于、内排打内排、外排打外排

C、大于、外排打内排、内排打外排

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Q12:打一条线时，2nd bond位置与手指前端（）6mil距离。

A、max

B、mon

C、min

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Q13:打两条线及以上时，b点2nd bond位置与手指前端（）4mil距离，点与点前后c→b之间保证鱼尾不踩压。

A、max

B、mon

C、min

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Q14:线跨线交叉点到长线二焊点距离大于长线线长的（）。

A、2/3

B、1/3

C、1/4

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Q15:单层跨芯片线弧，当PKG厚度0.75，框架厚度0.203，芯片厚度150um，使用0.7/0.8mil焊线时，线弧跨芯片比例为（）

A、80%

B、85%

C、75%

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Q16:单层跨芯片线弧，当PKG厚度0.45，框架厚度0.152，芯片厚度120um，使用1.2mil焊线时，线弧跨芯片比例为（）

A、75%

B、NA

C、80%

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Q17:单层跨芯片线弧，当PKG厚度0.90，框架厚度0.203，芯片厚度210um，使用0.9/1.0mil焊线时，线弧跨芯片比例为（）

A、80%

B、75%

C、85%

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Q18:单层跨芯片线弧，当PKG厚度0.4/0.45/0.50/0.55，框架厚度0.127/0.152，使用1.5mil及以上焊线时，线弧跨芯片比例为

A、65%

B、80%

C、NA

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Q19:线跨DIE时，横跨芯片线长b＜（）总线长L；芯片必须居中放置，芯片两边线长a相等；横跨芯片线长b（）a+a;

A、1/2、小于

B、1/3、大于

C、2/3、等于

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Q20:内层铝垫焊线与外层铝垫焊线交叉时，C前后手指中心间距（）时，其B交叉点须小于内层铝垫焊线的一半。

A、小于650um

B、小于600um

C、小于等于600um

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Q21:内层铝垫焊线与外层铝垫焊线交叉时，C前后手指中心间（）距时，其B交叉点可以大于等于内层铝垫焊线的一半。

A、大于650um

B、大于600um

C、大于等于600um

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Q22:内层铝垫不可以打到前端手指或地线，下列的情况例外：针对普通产品，打高弧的内层手指第二bond位置，距离打低弧的外层手指焊线间的距离必须大于（）

A、200um

B、250um

C、300um

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Q23:地线角度超过（），而且有跨相邻PA时，地线应垂直打线，使其不跨到相邻的pad。

A、40°

B、45°

C、50°

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Q24:当从载体打地线到引脚或从芯片上打地线到载体，使用DAFWBC粘片时，DIE边缘距载体边缘L最小距离是

A、150um

B、100um

C、200um

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Q25:DFN(0608-1.27)008-0003，环镀银框架，芯片不超出银环，芯片距离到银环边缘距离L（B）

A、≥150um

B、≥100um

C、≥130um

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Q26:DFN(0608-1.27)008-0005：载体不镀，芯片不超出载体，芯片距离到载体边缘距离L（B）

A、≥150um

B、≥100um

C、≥130um

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Q27:DFN(0608-1.27)008-0007/-0010载体不镀，芯片可以超出载体，芯片上PAD尽量放在框架上面，芯片边缘距离引脚边缘距离L（B）

A、≥150um

B、≥100um

C、≥130um

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Q28:芯片长宽比x:y为（）

A、4:1

B、3:1

C、5:1

Q29:铝垫厚度2.8um，0.8mil的Au，HVM Bond Pad Opening是（）

A、44

B、43

C、41

Q30:SSB打线，Al Thk 2.9-4.0um,CU/Ag，25~30线径，HVM Die Pad Openin是（），LVM Die Pad Openin是（）

A、A+9、A+8

B、A+7 、A+8

C、A+6、A+7

Q31:汽车产品按照LVM参考设计。

A、正确

B、错误

Q32:Die to Die焊线不可横跨下die同排相邻的铝垫。

A、正确

B、错误

Q33:引脚第二焊点尽量画在非半蚀刻区域，地线部分尽量打在非半蚀刻区域。

A、正确

B、错误

Q34:上Die的线跨下Die的线越少越好，汽车电子允许相交。

A、正确

B、错误

Q35:同层芯片PAD中，焊线相交情况下，线长小于500um的焊线尽量不相交；线长大于等于500um的焊线，两根相交焊线线长不相等的，交叉点需要距二焊点大于1/3处；两根相交线长相等时，交叉点大于线长的1/2处。

A、正确

B、错误

Q36:长方形的PKG，PKG的长边排布在整条框架的Y向，短边放在框架的X方向。

A、正确

B、错误

Q37:正方形的PKG，芯片未居中摆放，Bump排布不均匀，Bump多一边要排布在产品和整条框架的X方向。

A、正确

B、错误

Q38:安全距离H=外露引脚L误差+R(框架厚度*65%)+设备误差M+夹具凸台误差K

A、正确

B、错误

Q39:如下图所示，h表示引脚边缘到基岛边边缘距离，S表示相邻两个引脚的距离，g表示基岛连筋与内引脚的距离，m表示bottom edge基岛背面半蚀刻宽度，N表示内引脚边缘最小的半蚀刻宽度，J表示内引脚边缘最小的半蚀刻宽度，P表示外漏引脚长度。

A、正确

B、错误

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Q40:芯片尺寸0.500*0.800，使用DAF膜，地线距离卡控150um；芯片尺寸2.000*2.300，使用DAF膜，地线距离HVM卡控200um，LVM卡控150um。

A、正确

B、错误